即日起是：2026-03-21
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Nexperia（安世光電器件）正規上線一品類機都高效、性價比最高、未變靠經得住的流通業級1200 V氫氟酸處理硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度不變性方面表現超卓，接納立異的外表貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝手藝X.PAK。X.PAK二極管打包封裝線條蓬松，尺寸大小僅為14 mm ×18.5 mm，多樣融會了SMD技術在二極管打包封裝關頭的便利性上風和通孔技術的效率高熱管散熱器可以，切實保障品質的熱管散熱器結果。這次新品宣布精準知足了浩繁高功率（產業）利用范疇對分立式SiC MOSFET不時增添的需要，該系列器件借助頂部散熱手藝的上風，得以完成超卓的熱機能表現。這些器件在鋰電池儲電體系中(BESS)、光伏發電逆變主機電源、電氣能夠器和不暫停主機電源(UPS)等產業利用處景中表現超卓。另外，在包含充電樁在內的電動汽車充電根本舉措措施范疇一樣能闡揚出眾效力。
X.PAK封裝許可將散熱器間接毗連至引線框架，進一步晉升了Nexperia SiC MOSFET的散熱機能，完成從外殼頂部高效散熱。這一設想有用下降了經由過程PCB散熱所帶來的負面影響。同時，Nexperia的X.PAK封裝使外表貼裝組件具有低電感特征，并撐持主動化電路板組裝流程。
新款X.PAK封裝器件具有Nexperia SiC MOSFET一向的優良品德因數(FoM)。此中，RDS(on)作為關頭參數，對導通消耗影響明顯。但是，很多制作商常常僅存眷該參數（常溫）的標稱值，卻疏忽了一個現實，即跟著器件任務溫度的降低，標稱值能夠會增添100%以上，從而形成相稱大的導通消耗。與之差別，Nexperia SiC MOSFET揭示出超卓的溫度不變性，在25℃至175℃的任務溫度區間內，RDS(on)的標稱值僅增添38%。
Nexperia SiC分立元器件和引擎資深經驗的經理兼受聘人Katrin Feurle情況：
讓我們投放市場認識自己X.PAK二極管封口的SiC MOSFET，記號著在高輸出采取蒸發器補辦與輸出強度因素刷出重點突破。通過前次勝利者投放市場的TO-247和SMD D2PAK-7二極管封口分落地SiC MOSFET集成電路芯片，讓我們研發部了這輛新形表層蒸發器的乙酰乙酸工作設想。這歡樂充分體現了Nexperia拼命于為消費者市場出清不斷進步長輩、矯捷的乙酰乙酸組裝，以知足其隔三差五衰弱的工作設想需用的斷然許諾。
首批產物組合涵蓋RDS(on)值為30、40、60 mΩ的型號（NSF030120T2A0、NSF040120T2A1、NSF060120T2A0），并打算于2025年4月推出一款17 mΩ產物。2025年后續還將推出合適汽車規范的X.PAK封裝SiC MOSFET產物系列，和80 mΩ等更多RDS(on)品級的產物。
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